А850Б

транзистор А850Б

Несколько неожиданно видеть IGBT-транзистор в таком корпусе, однако же. Это опытные партии транзисторов 2Е701Б.

Производитель - "Пульсар", г.Москва.

 

А850А

А850Б

А850В

А850Г

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор – эмиттер, В
Iкэк=1 мА

500

700

500

700

Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А

25

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт

75

Напряжение насыщения коллектор–эмиттер, В
UЗЭ=15 В; IК=10 А

2,5

2,5

3,5

3,5

Входная емкость, пФ
UКЭ=30 В; f=107 Гц; UЗЭ=0

1700

Время выключения, нс
UКЭ=250 В; UЗЭ=10 В; IК=10 А

500

700

500

700

Время включения, нс

200

Обратный ток коллектор – эмиттер при короткозамкнутых выводах эмиттера и базы, мА
UКЭ=30 В; UЗЭ=0

0,05

Пороговое напряжение, В:
UКЭ=10 В; IК=0,01 А

2...4

домой