Кремниевый p-i-n фотодиод для видимого и ближнего ИК диапазона 400...1100 нм (максимум чувствительности 780...880 нм).
У него довольно сложная конфигурация чувствительного элемента - 2 области по 0,2 мм2 и 4 области 0,04 мм2. Очевидно, это координатно-чувствительный датчик.
Рабочее напряжение 10 В, темновой ток не более 1 нА, интегральная чувствительность на длине волны 630 нм 0,31 А/Вт, на 780 нм 0,35 А/Вт.
И нормируется ещё один, нечастый для фотодиодов параметр - напряжение шумов 1,6*10-3 нА/√Гц.
В общем, явно необычный фотодиод от черновицкого завода "Кварц". Область применения - системы считки информации.
Источники:
1. RHYTM Optoelectronics - 2002.
2. Бараночников М. Л. Приемники и детекторы
излучений. Справочник. - М.: ДМК Пресс, 2012.
3. М.Л. Бараночников. Приемники и детекторы
излучений. Электронная авторская версия.
Москва: 2017.