ФС-10АН

фоторезистор ФС-10АН

Неохлаждаемое фотосопротивление из сернистого свинца для работы с излучением средневолнового ИК-диапазона (1,8...3,2 мкм).

Разработано оно и выпускалось Московским заводом "Мосдеталь" (ныне Завод "Сапфир").

Подробностей по ФС-10АН довольно мало. Могу предположить, что, как и остальные ФС-ххАН, оно было разработано в 60-х годах для бесконтактных взрывателей ракет. Книга по истории завода "Сапфир" упоминает, что большая потребность в этом фотосопротивлении сохранялась и "в период перехода к рыночным отношениям", т.е. в 90-ые годы.

Электрические параметры

Максимум спектральной характеристики 2,1...2,3 мкм
Размер фоточувствительного элемента 2х2 мм
Рабочее напряжение 10...15 В
Темновое сопротивление не более 0,3 МОм
Постоянная времени не более 0,23 мс
Интегральная вольтовая чувствительность не менее 2000 В/Вт
Обнаружительная способность не менее 2*108 см*√Гц/Вт

фоторезистор ФС-10АН

фоторезистор ФС-10АН

Источники:

1. Московский завод "Сапфир". Годы, события, люди. Москва, 2016.
2. М.Л. Бараночников. Приемники и детекторы излучений. Электронная авторская версия. Москва: 2017.

домой