ФСАГ-2

фоторезистор ФСАГ-2

Первые образцы сернисто-свинцовых сопротивлений были изготовлены в Германии, перед началом второй мировой войны. В СССР фотосопротивления этого типа (серия ФС-А) разработаны Б. Т. Коломийцем. Когда они были освоены нашей промышленностью, данных нет; по моей оценке, это произошло в начале-середине 50-х годов.

Производитель - завод № 228 Тамбовского Совнархоза, известный нам как завод "Алмаз" им. 50-летия СССР" (г.Котовск Тамбовской области).

ФСАГ-2 (нам более привычно позднее написание, ФСА-Г2), как можно понять - герметизированный вариант второй... а нет, всё же первой модели фотосопротивлений этого семейства. Почему же тогда у неё второй номер? Чувствительный элемент, стеклянная пластинка с тонким слоем PbS, у первых пяти типов ФСА одинакова*, совпадают и параметры. Разница лишь в конструктивном оформлении. Так, ФСАГ-2 имеют герметичный корпус со стеклянным окошком с октальным цоколем по ТУ НИ0.537.000, рассчитанный на включение в ламповую панель. Это сделано для работы в условиях высокой влажности и непроводящих жидких средах. Но основное применение эти фотосопротивления нашли в металлургической промышленности.

* Впрочем, так было только поначалу. К концу 60-х параметры ФСА-Г2 в литературе начинают отличаться от остальных, а размер чувствительного элемента указывают 8х12 мм (изначально был 4х7,5 мм).

Электрические параметры

максимум спектральной чувствительности 2,1 мкм, длинноволновая граница 3,2 мкм (2,7 мкм)*
постоянная времени - 40 мкс
удельная чувствительность - не менее 500 мкА/лм*В
вольтовая чувствительность - не менее 1000 В/Вт
рабочее напряжение 4...40 В (15...60 В)*
темновое сопротивление 47...470 кОм (10...100 кОм)*
средняя кратность изменения сопротивления - не менее 1,2
средний температурный коэффициент фототока -1,5 %/°
диапазон рабочих температур -60...+60°С (0...+40°С)*
допустимая мощность рассеяния 10 мВт (2 мВт)*
сопротивление изоляции между выводами и корпусом не менее 1 ГОм
рабочая площадь 24 мм2
* в скобках приведены параметры ранних выпусков

Справочные данные на них из отраслевого каталога.

Спектральная характеристика сернисто-свинцовых сопротивлений захватывает довольно широкую область как в видимой, так и в инфракрасной частях спектра. Необходимо отметить, что указанная область, а также максимум спектральной характеристики зависят от окружающей температуры и с понижением ее смещаются в сторону более длинных волн.

Интегральная чувствительность сернисто-свинцовых фотосопротивлений также зависит от температуры. Понижение температуры вызывает повышение чувствительности.

У сернисто-свинцовых фоторезисторов уровень шума, измеренный на узкой полосе пропускания усилителя (20 Гц) составляет 1-3 мкВ/В. В случае широкой полосы пропускания усилителя (150-20 000 Гц) шумы у этих же фоторезисторов равны 10-30 мкВ/В.

Основным достоинством сернисто-свинцовых фотосопротивлений является их небольшая инерционность. В интервале частот до 1000 Гц она не отличается от частотных характеристик вакуумных фотоэлементов. Постоянная времени ФС-А сравнительно невелика и не превышает 40 мкс, что дает возможность использовать их в диапазоне частот модуляции до 5—8 кГц.

При нормальных эксплуатационных условиях фотосопротивления из сернистого свинца имеют практически неограниченный срок службы. Стабильность их, т. е. неизменность во времени всех параметров, довольно высока. Исследованиями установлено, что фотосопротивлениям присущ некоторый период, во время которого происходит становление их параметров, иначе говоря - старение. Этот период длится 300—400 ч после включения фотосопротивлений под нагрузку. В процессе старения значение сопротивления у фотосопротивлений типа ФС-А падает почти вдвое, а чувствительность значительно возрастает.

Фотосопротивления ФС-А не боятся засветки, т. е. воздействия мощных световых потоков. Необратимой потери чувствительности засветка не вызывает.

При работе с фотосопротивлениями ФС-А необходимо помнить, что при повышенном напряжении они быстро выходят из строя. Для каждого конкретного фоторезистора рабочее напряжение устанавливается численно равным 0,1хRт, где Rт — темновое сопротивление фоторезистора в килоомах. У фоторезисторов типа ФС-А пробой в темноте наступает при 500 в, а в освещенном состоянии — при 400 в.

фоторезистор ФСАГ-2

фоторезистор ФСАГ-2

Источники:

1. М.М. Гринштейн. Фотосопротивления в приборах промышленной автоматики. М.-Л. Госэнергоиздат, 1962 (Библиотека по автоматике, вып.49).
2. Олеск А.О. Фоторезисторы. М.-Л., изд-во "Энергия", 1966 (Библиотека по автоматике, вып. 215)
3. Верхопятницкий П.Д. Электрические элементы судовых радиоэлектронных и вычислительных устройств. Л.: Судостроение, 1967.
4. П.В. Николаев, Ю.А. Сабинин. Фотоэлектрические следящие системы. Л., "Энергия, 1969 (Б-ка по автоматике. Вып. 345).
5. Сопротивления. Справочник. Том 1. ВНИИ "Электронстандарт", 1977.
6. Криксунов Л.З. Справочник по основам инфракрасной техники. - М.: Сов. Радио, 1978.
7. Марченко А.Н. Переменные резисторы. - М.: Энергия, 1980 (Массовая радиобиблиотека. Вып. 1017)
8. Резисторы. Справочник. Том III. ВНИИ "Электронстандарт", 1980.
9. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. 10-е изд., перераб. и доп. - К.: Технiка, 1984.
10. Ю.В. Зайцев и др. Полупроводниковые резисторы в электротехнике/ Ю.В. Зайцев, А.Н. Марченко, И.И. Ващенко.- М.: Энергоатомиздат. 1988.
11. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. 9-е изд., перераб. К.: Технiка, 1980.

домой