Весьма необычная серия. Цифровые базовые матричные кристаллы не являются чем-то экзотичным, но это - аналоговые матричные кристаллы!
Разработчик и производитель этой серии - московский НИИ Дельта.
Микросхема представляет собой аналоговый базовый матричный кристалл и предназначена для построения трактов усилителей промежуточной частоты.
Имеет регулярную структуру, 9 одинаковых ячеек (одна ячейка содержит 16 ВЧ транзисторов и 16 резисторов). Содержит 144 транзистора и 288 резисторов.
R1 640...960 Ом R2 160...240 Ом |
Любопытно, что хотя микросхема разварена в керамический DIP-корпус, обозначение у неё как у бескорпусной...
Судя по этому образцу, серия выпускается и поныне! Сейчас её выпуском занимается НИИТАП, и в настоящее время 1451ХН3 "Фархад-2" заменен на 1451БА1 "Старт" (он - на повышенные напряжения).
Микросхема представляет собой базовый матричный кристалл с набором активных и пассивных элементов и используется в качестве элементной базы аналоговых полузаказных микросхем радиоприемных и телевизионных трактов с повышенной устойчивостью к спецвоздействиям.
Имеет регулярную структуру. Элементы расположены симметрично его вертикальной и горизонтальных осей. Транзисторы сгруппированы в 8 зон (макроячеек), наиболее мощные располагаются по периферии кристалла между контактными площадками. В состав ИС входят 92 n-p-n транзисторов (84 маломощных и 8 повышенной мощности), 40 p-n-p транзисторов, 8 диодов, 272 резистора и 4 конденсатора.
С помощью этих кристаллов можно реализовать
различные аналоговые устройства для
радиоприема, телевидения и обработки сигналов.
К примеру, версия Н1451БА1У-А502 -
многофункциональная БИС
радиоприемного устройства в системах навигации; содержит четыре независимых
усилителя мощности, два повторителя и источник опорного напряжения.
А Н1451БА1У-R502 -
тоже БИС радиоприемного устройства для систем навигации; содержит двойной балансный
смеситель (аналог 174ПС1) и УПЧ с АРУ и квантователем на выходе.
малой мощности < 10 мА повышенной мощности < 80 мА | |
малой мощности < 0,7 мА повышенной мощности < 10 мА | |
малой мощности < 40 мВт повышенной мощности < 160 мВт | |
малой мощности < 7 мВт повышенной мощности < 100 мВт |
Источники:
1. Перечень новых
разработок интегральных микросхем. № 14 -
Москва, 1991.
2. Интегральные микросхемы и базовые матричные
кристаллы для бытовой и промышленной аппаратуры. Справочник / Е.Г. Горпач,
О.А. Мокрицкий, П.Б. Поплевин, А.М. Розенман.
Под редакцией Е.Г. Горпача. - М.: ТОО "Фирма Развитие", 1993.
3. Нефедов А.В. Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Т. 9. - М.: ИП РадиоСофт, 2001.