Малоизвестная серия, которая включает в себя две микросхемы базовых матричных кристаллов. Производитель - НИИ "Пульсар", г.Москва.
(фото с форума Портативное
ретрорадио)
Цифровой базовый матричный кристалл 1589ХМ1 предназначен для
создания БИС цифровой обработки информации в аппаратуре специального и
общегражданского применения. В качестве элементной базы БМК использованы маломощные
ТТЛ ИС с диодами Шоттки.
Версия 1589ХМ1-04 предназначена для синхронизации и управления ФПУ матричного типа.
Структурная схема БИС содержит 7-разрядный делитель управляющей частоты; селектор-мультиплексор 8/1 для выбора одного из 8 выходов делителя; формирователь 9 управляющих и 3 синхроимпульсов:
Кристалл БМК содержит 600 базовых элементов и 52 периферийных элемента,
из которых 27 могут быть входными либо выходными со стандартным ТТЛ-выходом,
а 25 — входными или выходными со стандартным ТТЛ-выходом,
либо выходными с инверсным выходом, тремя устойчивыми состояниями и повышенным
значением выходного напряжения.
Каждая матричная базовая ячейка содержит набор частично соединённых электрических
элементов (транзисторных и диодных структур, резисторов).
Каждая периферийная базовая ячейка условно разделена на два фрагмента, каждый из
которых представляет собой набор нескоммутированных элементов.
Библиотечными функциональными элементами БМК являются:
- базовый элемент с напряжением питания +2 В,
реализующий логическую функцию “4И-НЕ” и содержащий фиксирующий диод;
- базовый элемент, реализующий логическую функцию “4И-НЕ” без фиксирующего диода;
- входной периферийный элемент с инверсным выходом;
- выходной периферийный элемент с инверсным стандартным ТТЛ-выходом;
- выходной периферийный элемент с инверсным выходом, тремя устойчивыми состояниями и повышенным значением выходного напряжения высокого уровня Uoh.
На основе микро- и макроблоков, созданных из базовых элементов, могут быть реализованы многоразрядные счётчики импульсов с различными коэффициентами деления, многовходовые дешифраторы, анализирующие состояние счётчиков и выделяющие сигналы в нужный момент времени, регистры различных типов, комбинационные схемы.
В основу технологического процесса изготовления БМК 1589ХМ1
положена планарно-эпитаксиальная технология с изоляцией элементов
обратносмещённым р-n-переходом. При этом изолирующая диффузия бора осуществляется
с использованием сильнолегированных р+-слоев и с сохранением боросиликатного стекла
перед второй стадией диффузии, что позволило, по сравнению с обычно применяемыми
режимами, снизить паразитные ёмкости изолирующих переходов в 1,5 раза.
К основным технологическим особенностям ЦБМК следует отнести:
использование процессов ионного легирования сурьмы, бора и мышьяка, обеспечивающих высокую воспроизводимость электрофизических параметров слоёв в широком диапазоне концентраций легирующих примесей;
малые глубины залегания р-n-переходов, составляющие доли мкм, в частности, ширина базы hб
> 0,25 мкм, что при соответствующей геометрии элементов ИМС и технологическом процессе их изготовления обеспечивает граничную частоту усиления по току fгр n-р-n транзисторных структур порядка 2 ГГц;
малые размеры элементов, в наибольшей степени влияющих на параметры ИМС. В частности, ширина контакта к области эмиттера составляет 2 мкм. Минимальный размер эмиттера ограничен требованиями по величине сопротивления тела коллектора rк;
одновременное использование двухслойной и двухуровневой металлизации на основе молибдена-алюминия или молибдена-алюминия, легированного кремнием.
Источники:
1. Гольдшер А., Юргаев Б. Цифровой базовый матричный кристалл К1589ХМ1 // Инженерная микроэлектроника. — 1999. — № 3.
2. А. Гольдшер, В. Кучерский, Б. Юргаев. БИС синхронизации и управления фотоприемными
устройствами. - Chipnews, №3. 2003г.