Довольно старая серия, которая включается в себя ряд микросхем малой степени интеграции, выполненных по биполярной технологии; в основном - матрицы транзисторов для построения маломощных усилительных каскадов. Инструкция по применению микросхем варианта К198ххх.
Первая её очередь появилась в
начале 70-х годов, в ходе выполнения ОКР "Переход-Т".
Разрабатывал и выпускал её Таллинский радиотехнический завод им. Ханса Пегельмана.
Чрезвычайно редкая микросхема, которая, в общем-то, более ничем
особенным не выделяется - это сборка из пяти маломощных n-p-n транзисторов.
Справочные данные на неё.
Дифференциальный усилитель.
Коэффициент усиления напряжения 30...60, разность входных токов
у группы А 2 мкА, группы Б 3 мкА, напряжение смещения
у А 5 мВ, у Б 10 мВ.
Данные из
отраслевого каталога на неё и заводские
паспорта на 1УТ981
и на КР198УТ1 вариант
1, вариант 2.
Как видно, в новом веке пришлось заново осваивать её выпуск, заодно и сменив корпус. Сделало это ОКБ "Экситон" (г. Павловский Посад).
Источники:
1. Каталог интегральных микросхем. Часть II (аналоговые).- Центральное
бюро применения. 1975.
2. Микросхемы интегральные. Группа 6331.
Сборник справочных листов. РД 11 0488.2-88.
Издание официальное. ВНИИ "Электронстандарт",
1989.
3. Нефедов А. В. Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Т. 3.— М.: КУбК-а, 1997.