Довольно старая серия, которая включается в себя ряд микросхем малой степени интеграции, выполненных по биполярной технологии; в основном - матрицы транзисторов для построения маломощных усилительных каскадов. Инструкция по применению микросхем варианта К198ххх.
Первая её очередь появилась в
начале 70-х годов, в ходе выполнения ОКР "Переход-Т"
и "Матрица-1".
Разрабатывал и выпускал её Таллинский радиотехнический завод им. Ханса Пегельмана.
Транзисторные сборки 198НТ1...198НТ4 - это от трёх до пяти n-p-n транзисторов на одном кристалле, для создания простых маломощных схем низкочастотного диапазона. Смысл в том, что транзисторы, созданные в одном технологическом цикле, обладают идентичными параметрами, что заметно облегчает создание дифференциальных каскадов и иных схем, где требуется симметрия плеч.
Кристалл у них одинаков, а разные варианты, подозреваю, получались в ходе отбраковки, когда какой-то транзистор из полной сборки 198НТ1 оказывался негоден. Так, 198НТ3 - это четыре несоединенных между собой транзистора.
Эти сборки делились на группы "А" и "Б" по коэффициенту передачи (20...125 и 60...250); при этом военный вариант, 1НТ983, был только одной группы, без буквы (Ку не менее 30).
Справочные данные на неё, заводские паспорта на 1НТ981...1НТ983, на К198НТ1...К198НТ4, и на 198НТ1...198НТ3 в версиях 1988 и 1990 года.
Любопытный момент, изначально по ОКР "Переход-Т" эти микросхемы были разработаны в круглом корпусе 301.12-1. Такое исполнение упоминается в каталогах начала 70-х годов, до 1973-74 года. Но, как видно, к этому времени их перевели в привычный нам планарный 401.14-2.
(фото с форума Портативное
ретрорадио)
 (фото с форума Радиокартинки) |
 (фото с форума Радиокартинки) |
Чрезвычайно редкая микросхема, которая, в общем-то, более ничем
особенным не выделяется - это сборка из пяти маломощных n-p-n транзисторов.
Справочные данные на неё.
Дифференциальный усилитель с
эмиттерными повторителями на выходах.
Коэффициент усиления напряжения 30...60, разность входных токов
у группы А 2 мкА, группы Б 3 мкА, напряжение смещения
у А 5 мВ, у Б 10 мВ.
Данные из
отраслевого каталога на неё и заводские
паспорта на 1УТ981
и на КР198УТ1 вариант
1, вариант 2.
Как видно, в новом веке пришлось заново осваивать её выпуск, заодно и сменив корпус. Сделало это ОКБ "Экситон" (г. Павловский Посад).
Источники:
1. Каталог интегральных микросхем. Часть II (аналоговые).- Центральное
бюро применения. 1975.
2. Аналоговые интегральные микросхемы:
Справочник/Б.П. Кудряшов, Ю.В. Назаров, Б.В.
Тарабрин, В.А. Ушибышев. - М.: Радио и связь, 1981
(Массовая радиобиблиотека; Вып. 1033).
3. Микросхемы интегральные. Группа 6331.
Сборник справочных листов. РД 11 0488.2-88.
Издание официальное. ВНИИ "Электронстандарт",
1989.
4. Нефедов А. В. Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Т. 3.— М.: КУбК-а, 1997.