Как нам говорит история, это первые отечественные транзисторы со статической индукцией; разработаны они были в 1982-1983 годах. Они предназначены для работы в выходных каскадах усилителей мощности звуковой частоты.
Разработчик и производитель - Новосибирский электровакуумный завод. Судя по всему, в массовое производство эти транзисторы так и не пошли и выпускались лишь на опытном производстве.
Информации по ним не очень много, вот вырезка из справочника.
(фото с форума Радиокартинки)
Структура кристалла состоит из высоколегированной n--подложки, ориентированной по плоскости (111), с предварительно выращенным на ней высокоомным эпитаксиальным n+-слоем (сток), отдельных полосок из n+-слоя (исток), сетки, охватывающей области истока и состоящей из р+ участков (затвор). Образованный при этом p-n переход формирует вертикальные токопроводящие каналы. Управление током происходит путем изменения поперечной площади каналов и высоты потенциального барьера, возникающего в канале в зависимости от приложенных напряжений исток—затвор и исток—сток. Толщина алюминиевых электродов затвора и истока составляет 3—5 мкм.
(фото с форума Радиокартинки)
Температурная зависимость проходной вольт-амперной характеристики |
Начальный участок температурной зависимости проходной вольт-амперной характеристики |
Наличие термостабильной точки при Ic = 100 мА объясняется тем, что при малых плотностях тока наблюдается инжекционный механизм работы, при больших — транзистор переходит в режим работы с ограниченным пространственным зарядом.
Отрицательная температурная зависимость в рабочей области тока стока обеспечивает преимущества полевых транзисторов перед биполярными: отсутствие вторичного пробоя, высокую устойчивость к перегрузкам, возможность параллельного соединения транзисторов. По сравнению с МОП, транзистор со статической индукцией характеризуется более высокой линейностью и крутизной, низким сопротивлением сток—исток открытого транзистора.
Источники:
1. М. И. Антонов, В. С. Данилов, С. Н.
Корнилова, Ю. Н. Максименко. Мощный полевой
транзистор КП801.-
"Электронная промышленность" №6, 1984.
2. Отечественные транзисторы: БСИТ, СИТ, БТИЗ. — М.: Издательский дом
«Додэка-XXI» («Библиотека электронных компонентов», вып. 16).
3. Петухов В. М. Транзисторы и их зарубежные аналоги.
Полевые и высокочастотные биполярные транзисторы средней и
большой мощности. Справочник. В 4 т. Т. 3. Издание второе, исправленное.—
М.: ИП РадиоСофт, 2000.