Как нам говорит история, это первые отечественные транзисторы со статической индукцией; разработаны они были в 1982-1983 годах. Они предназначены для работы в выходных каскадах усилителей мощности звуковой частоты.
Разработчик и производитель - Новосибирский электровакуумный завод. Судя по всему, в массовое производство эти транзисторы так и не пошли и выпускались лишь на опытном производстве.
Информации по ним не очень много, вот вырезка из справочника.
(фото с форума Радиокартинки)
Кристалл выполнен по планарной технологии с использованием самосовмещения истока и затвора методом подтрава SiO2 и Si под маской Si3N4 и последующего выращивания низкотемпературного окисла.
Структура кристалла состоит из высоколегированной n--подложки, ориентированной по плоскости (111), с предварительно выращенным на ней высокоомным эпитаксиальным n+-слоем (сток), отдельных полосок из n+-слоя (исток), сетки, охватывающей области истока и состоящей из р+ участков (затвор). Образованный при этом p-n переход формирует вертикальные токопроводящие каналы. Управление током происходит путем изменения поперечной площади каналов и высоты потенциального барьера, возникающего в канале в зависимости от приложенных напряжений исток—затвор и исток—сток. Толщина алюминиевых электродов затвора и истока составляет 3—5 мкм.
Высокое значение пробивного напряжения затвор-сток достигается путем введения в конструкцию кристалла трех делительных колец, охватывающих активную структуру по периметру.
(фото с форума Радиокартинки)
Выходные вольт-амперные характеристики КП801Г
|
Передаточная вольт-амперная характеристика КП801Г
|
Температурная зависимость проходной вольт-амперной характеристики
|
Начальный участок температурной зависимости проходной вольт-амперной характеристики
|
Наличие термостабильной точки при Ic = 100 мА объясняется тем, что при малых плотностях тока наблюдается инжекционный механизм работы, при больших — транзистор переходит в режим работы с ограниченным пространственным зарядом.
Отрицательная температурная зависимость в рабочей области тока стока обеспечивает преимущества полевых транзисторов перед биполярными: отсутствие вторичного пробоя, высокую устойчивость к перегрузкам, возможность параллельного соединения транзисторов. По сравнению с МОП, транзистор со статической индукцией характеризуется более высокой линейностью и крутизной, низким сопротивлением сток—исток открытого транзистора.
Зависимости максимально-допустимой импульсной мощности и максимально-допустимого импульсного тока стока от длительности импульса для КП801Г
|
Зависимость крутизны характеристики от тока стока для КП801Г
|
Зависимость крутизны характеристики (1) и емкости затвор-исток (2) от напряжения затвор-исток для КП801А, КП801Б
|
Зависимость крутизны характеристики от напряжения затвор-исток для КП801Г
|
Зависимость ёмкости от напряжения затвор-исток для КП801Г
|
Зависимость ёмкости затвор-сток от напряжения затвор-сток для КП801Г
|
Источники:
1. М. И. Антонов, В. С. Данилов, С. Н.
Корнилова, Ю. Н. Максименко. Мощный полевой
транзистор КП801. -
"Электронная промышленность" №6, 1984.
2. М.И. Антонов, В.С. Данилов, Ю.Н. Максименко, Н.К.
Мягкая. Мощные полевые транзисторы КП801В,Г,Д.
-
"Электронная промышленность" №7, 1985.
3. Отечественные транзисторы: БСИТ, СИТ, БТИЗ. — М.: Издательский дом
«Додэка-XXI» («Библиотека электронных компонентов», вып. 16).
4. Петухов В. М. Транзисторы и их зарубежные аналоги.
Полевые и высокочастотные биполярные транзисторы средней и
большой мощности. Справочник. В 4 т. Т. 3. Издание второе, исправленное.—
М.: ИП РадиоСофт, 2000.
