Бескорпусной n-p-n транзистор для линейных схем, нашедший широкое применение в гибридных микросборках 70-80-х годов, но как отдельное изделие встречается не часто. По сравнению с аналогичными транзисторами первого поколения, он обеспечивает более высокие коэффициент усиления и термостабильность, имеет нормированный коэффициент шума. Справочный лист на него, в версии для спецприменения.
Разработан он был Рижским НИИ Микроприборов.
Источники:
1. Полупроводниковые приборы. Справочник. Том
XIII. Транзисторы. Издание второе. - Министерство электронной промышленности СССР. Научно-исследовательский институт.
2. Каталог полупроводниковых приборов. - Москва, ЦНИИ "Электроника", 1971.
3. Пляц О. М. Справочник по электровакуумным, полупроводниковым приборам и интегральным схемам. Минск, <Вышэйш. школа>, 1976.
4. Атанас Шишков. Транзистори и диоди. Кратък справочник.
Второ допълнено издание. София, Държавно издателство "Техника". 1981.
5. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. 10-е изд., перераб. и доп.- К.: Технiка,
1984.