МОН

(М)еталло(О)кисные (Н)изкоомные. Содержат токопроводящий элемент в виде тонкого слоя двуокиси олова, нанесенного на поверхность керамического стержня. Одно время эта технология считалась весьма перспективной, так как термостойкость проводящих пленок у неё более высокая, чем у пленок металлов и сплавов, а технологический процесс получения проводящих элементов обеспечивает непрерывное поточное производство изделий.

Справочный лист на них из отраслевого каталога 1970 года.

Производитель - Псковский завод радиодеталей (ныне "Плескава").

Интересно, что в справочниках помимо обычного, выводного варианта ("а") встречаются и безвыводные "б" и "в"... никогда не встречал таких вживую...

Электрические параметры

Технология производства

   Осаждение пленок двуокиси олова на стеклянные и керамические основания производится химическим путем из хлористых соединений SnCl₂ и SnCl₄. Кристаллы хлористого олова подвергают гидролизу при 720—730° К. В камеру, нагретую до такой же температуры, впускают пары, образующиеся при гидролизе SnCl₂. При этом на поверхности вращающихся оснований, помещенных в камеру, образуется пленка двуокиси олова:

SnCl₂ + H₂O -> SnO + 2HCl
2SnO + O₂ -> 2SnO₂
2SnO -> Sn + SnO₂

   При использовании четыреххлористого олова его водный раствор с помощью пульверизатора наносится на основания, нагретые до температуры 800—890° К. При этом происходит реакция

SnCl₄ + 2H₂O -> SnO₂ + 4HCl

   Тонкие пленки двуокиси олова с высокой проводимостью и хорошей стабильностью получают термическим разложением раствора следующего состава: 40 вес. ч. четыреххлористого олова (SnCl₄), 60 вес. ч. 96%-ного этилового спирта, 0,5—1 вес. ч. хлористой сурьмы (SbCl₂).
   Другой способ заключается в создании методом термического испарения пленки двуокиси олова с последующим прогревом при постепенно нарастающей температуре.

   Пленки двуокиси олова обладают хорошей адгезией к изоляционным основаниям, отличаются высокой термостойкостью, стойки к воздействию кислот и щелочей, имеют невысокий ТКр.

   Изменяя условия проведения процесса и применяя различные добавки, можно в широких пределах изменять сопротивление пленок. Введение окиси цинка в количестве 5—8 вес. ч. позволяет получать пленки с высоким удельным сопротивлением, низким ТКр и хорошей стабильностью в широком интервале температур (210—500° К). Пленки с добавлением окиси цинка, нанесенные методом распыления на предварительно нагретые штабики из тугоплавкого бесщелочного стекла, имеют сопротивление квадрата пленки 400—2000 Ом и ТКр менее 6x10^-4 1/°.
   Для создания проводящих пленок с сопротивлением Rкв 1—3000 Ом широко распространены растворы, основными компонентами которых являются SnO₂, ZnO, Sb₂O₃.

   Для получения проводящих элементов металлоокисных резисторов разработаны технологические установки, на которых одновременно осуществляется изготовление изоляционных оснований в виде стеклянных штабиков, вытягиваемых из расплава тугоплавкого стекла, и нанесение проводящего слоя на движущийся штабик.
   Сопротивление получаемых заготовок зависит от ряда технологических факторов: температуры разогрева стеклянной нити, концентрации паров исходного раствора в рабочей камере, скорости движения нити через камеру и т. п.
   Чтобы обеспечить стабильность и небольшой ТКС проводящих элементов, толщина пленок двуокиси олова должна быть не менее 10^-5—10^-6 см. Также для повышения термостабильности в состав пленки вводят окислы сурьмы или цинка, а сами резисторы подвергают специальной термической тренировке.

   Для создания надежного омического контакта с окисно-оловянной проводящей пленкой используют серебряные пасты.
   Качество контакта может быть улучшено введением в состав пасты 2—5% моноокиси олова по отношению к весу твердой фазы пасты.
   Введение в состав пасты моноокиси олова (SnO) или кремния позволяет также значительно уменьшить химическое взаимодействие контакта с окисно-оловянной пленкой и переходное сопротивление.

Источники:

1. Ломанович В.А. Справочник по радиодеталям (Сопротивления и конденсаторы). - М., изд-во ДОСААФ, 1965.
2. Верхопятницкий П.Д. Электрические элементы судовых радиоэлектронных и вычислительных устройств. Л.: Судостроение, 1967.
3. Волгов В.А. Детали и узлы радиоэлектронной аппаратуры. М., изд-во «Энергия», 1967.
4. Панфилов Н.Д. Усилители киноустановок. Издательство "Искусство", Москва, 1968.
5. Справочник радиолюбителя. Р. М. Терещук, Р. М. Домбругов, Н. Д. Босый, С И. Ногин, В. П. Боровский, А. Б. Чаплинский. В двух частях. Изд. 6-е. "Техника", 1970
6. Рогинский И.Ю. Детали миниатюрной радиоаппаратуры. "Энергия", Л., 1970 (Массовая радиобиблиотека, вып. 748)
7. Мартюшов К.И., Зайцев Ю.В. Технология производства резисторов. Учебн. пособие для специальности "Полупроводники и диэлектрики", М., "Высш. школа", 1972
8. Майоров С. А. и др. Электронные вычислительные машины (справочник по конструированию). Под ред. С. А. Майорова. - М., "Сов. радио", 1975
9. Краткий справочник радиолюбителя. Березовский М.А., Писаренко В.М. - Киев "Технiка", 1975
10. Малогабаритная радиоаппаратура. Справочник радиолюбителя. - Киев "Наукова думка", 1975.
11. Радиодетали, радиокомпоненты и их расчет. Под ред. А.В. Коваля. М., "Сов. радио", 1977
12. Справочник по элементам радиоэлектронных устройств. Под ред. В.Н. Дулина, М.С. Жука. М., "Энергия", 1977
13. Волгов В.А. Детали и узлы радиоэлектронной аппаратуры. Изд. 2-е, перераб. и доп. М., "Энергия", 1977
14. Сопротивления. Справочник. Том 1. ВНИИ "Электронстандарт", 1977.
15. Резисторы: (справочник) / Ю.Н. Андреев, А.И. Антонян, Д.М. Иванов и др.; Под ред. И.И. Четверткова. - М.: Энергоиздат, 1981.
16. Бодиловский З.Г. Справочник молодого радиста: 4-е изд., перераб. и доп. — М.: Высш. шк., 1983. (Профтехобразование. Библиотечная серия)
17. Горобец А.И. и др. Справочник по конструированию радиоэлектронной аппаратуры (печатные узлы) / А.И. Горобец, А.И. Степаненко, В.М. Коронкевич. - К.: Технiка, 1985.

домой