SN52x

   Среди линейных электронных схем, используемых в ЦВМ, основную массу составляли различные усилительные схемы, в первую очередь операционные дифференциальные усилители постоянного тока с большим коэффициентом по напряжению. Одним из типичных представителей таких схем являлась 52-я серия операционных дифференциальных усилителей фирмы Texas Instruments, состоящей из 6 линейных интегральных схем, разработанная в первой половине 60-х годов.

Параметры схем SN521 SN522 SN523 SN524 SN525 SN526
Усиление по напряжению, дБ 62 62 73 62 80 60
Входной импеданс, кОм 12 12 20 1000 70 1000
Сдвиг входных напряжений, мВ 5 5 2 12 2 7
Дрейф по постоянному току, приведенный ко входу, мкв/°С 8 8 5 20 3 6
Перепад входного сигнала (с одного выхода), В +4,7 +3,7 +6,5 +7,5 +9 +5 (на нагрузке 500 Ом)
Подавление обычного усиления по уровню, дБ 60 60 90 55 90 80
Напряжение питания, В +10; +6; -9 +10; +6; -9 +12 +12 +12 +12
Температурный диапазон, °С -55 ... +125

  Отличительной особенностью этих схем является то, что здесь в одной структуре одновременно используются транзисторы типов n-p-n и p-n-p. Первые четыре схемы используют главную матрицу интегральных компонентов, содержащую два p-n-p и пять n-p-n транзисторов и 8 резисторов, общее сопротивление которых достигает 150 ком. Диффузионные резисторы p-типа имеют многочисленные отводы, позволяющие получить минимальное сопротивление, равное 390 ом.

  Транзисторы типа n-p-n могут использоваться как диоды (эмиттер соединяется с коллектором) и как p-n-p транзисторы, образованные изоляционной областью n-p-n транзистора p-типа, коллектором n-p-n транзистора n-типа и его базой p-типа. Эта главная матрица была разработана в 1962 г. и изготовляется четырехкратной диффузией, используя в качестве подложки кремний n-типа. Главная матрица двух последних интегральных схем 52-й серии, выпущенных в начале 1965 г., содержит уже 4 транзистора p-n-p, 10 транзисторов n-p-n и 68 резисторов общим сопротивлением 300 ком. Часть n-p-n транзисторов расположена парами близко друг к другу, чем обеспечивается хорошее согласование характеристик транзисторов, используемых в дифференциальных каскадах.

  Схемы, входящие в состав 52-й серии линейных интегральных схем операционных дифференциальных усилителей фирмы Texas Instruments, имеют ряд интересных особенностей.

  Так, в схеме SN523 имеется возможность путём внешнего перемыкания соответствующих выводов изменять усиление по напряжению от 40 до 73 дб.

  Во входных каскадах схем SN524 и SN526 используются пары транзисторов, известные под названием «пары Дарлингтона», позволяющие получить высокий входной импеданс, равный 1 Мом. Выходной каскад схемы SN526 работает в режиме класса В и использует на выходе эмиттерные повторители на транзисторах типов p-n-p и n-p-n. Благодаря этому схема обеспечивает получение перепада напряжения выходного сигнала ±5 в на нагрузке 500 ом.

  Схема SN525 отличается большим усилением и высокой стабильностью, обеспечивая получение высокого перепада выходного напряжения, составляющего ±9 в. Схемы SN525 и SN526 могут работать при больших уровнях входных сигналов, достигающих ±5 в.

  Для всех схем используют стандартный плоский коваровый корпус с 10 или 14 выводами, обеспечивающий получение высокой надежности. Интегральные схемы 52-й серии широко применяются в различных аэрокосмических системах, обеспечивая нормальную работу в диапазоне температур от —55 до +125° С.

   По сравнению с цифровыми схемами, приборы этой серии были весьма дорогими. Так, в 1966 году оптовая цена на микросхемы этой серии составляла от 20 до 39 долларов за штуку, в зависимости от типа.

Источники:

1. Рекомендации по созданию узлов и блоков на твердых схемах. - 1964.
2. В.М. Долкарт, Г.Х. Новик, И.С. Копытин. Микроминиатюрные аэрокосмические цифровые вычислительные машины. Издательство "Советское Радио". Москва - 1967.

домой