Германиевые микромодульные p-n-p транзисторы. Это маломощные среднечастотные приборы, варианты "А" и "Б" имеют граничную частоту 3 МГц, "В" и "Г" 9 МГц, "Д" может работать до 20 МГц. Справочный листок на них.
Германиевые транзисторы ТМ-2 изготавливаются из электронного германия. Электронно-дырочные переходы получаются вплавлением индия. С целью получения лучших импульсных свойств диаметр коллекторного электрода уменьшен до 0,35 мм, что обеспечивает снижение емкости коллектора менее 20 пф. Использование тонких германиевых пластин (40...50 мкм), малых навесок электродов и точное поддержание температуры печи при вплавлении примеси дает возможность получить предельные частоты усиления по току до 20 МГц.
В целом микромодульные транзисторы вряд ли можно отнести к каким-то особо необычным изделиям, как с технической, так и с исторической точки зрения. Но ТМ-2З интересен. Обычно подобные транзисторы представляют собой металлический герметизированный колпачок, устанавливаемый на микромодульной плате; в том числе и ТМ-2 более поздних выпусков. Здесь же мы видим бескорпусной кристалл, размещенный в углублении платы и залитый компаундом. Да и сама плата отличается от привычных, а именно расположение отверстий для выводов.
Транзисторы в таком исполнении выпускали только в начальный период, в 1961-63 годах. Производство прекратили из-за быстрой разгерметизации кристалла. Для решения проблемы стали выпускать транзисторы в металлическом корпусе, маркировали их дополнительной цифрой через дефис - ТМ-2А-3 и пр. Позднее от доп. цифры отказались.
Разработчик и производитель - московский НИИ-35 "Пульсар"; опытное производство началось в 1961 году. Разработка, по всей вероятности, производилась совместно с НИИ-131 (НИИ Радиоэлектроники, ныне часть НПО "Ленинец") на базе кристаллов транзисторов П15 - "... 4. Изготовление микротранзисторов на базе полупроводниковых приборов типа П15, защищённых покрытием по технологии НИИ-131 ... в 1961 г."
В дальнейшем их выпуск передали на запорожскую "Гамму".
Вот поздний ТМ2Г вполне стандартен:
Источники:
1. Справочник по полупроводниковым приборам. Лавриненко В. Ю. Изд.
5-е. "Техника", 1970.
2. Основы микроэлектроники и технологии производства микросхем (Учебное пособие). Московский институт электронной техники. 1971.
3. Справочник по полупроводниковым приборам. Лавриненко В. Ю. Изд. 6-е. "Техника", 1971.
4. Верхопятницкий П.Д. Конструирование
судовой автоматики на микромодулях. Л., "Судостроение", 1971.
5. Полупроводниковые приборы. Справочник. Том
XI. Транзисторы. Издание второе. - Министерство электронной промышленности СССР. Научно-исследовательский институт.
6. Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник/В. А. Аронов, А. В. Баюков, А. А. Зайцев и др. Под общ. ред. Н. Н. Горюнова,— М.: Энергоиздат, 1982.
7. Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник/Под общей редакцией Н. Н. Горюнова. Издание второе, переработанное, - М.: Энергоатомиздат,
1985.