ДТЛ-логика, напряжения питания +5 и +3 В. Основными микросхемами серии являются логические элементы, реализующие функцию И-НЕ.
Серия цифровых схем на основе диодно-транзисторной логики разрабатывалась по темам "Логика" (серия 121) и "Логика-1" (серия 156).
Микросхемы имели время задержки выключения 100-150 нс и среднюю потребляемую мощность 20-30 мВт. Серия 121 предназначалась для использования в радиолокаторах среднего радиуса действия, в станках с числовым программным управлением и в системах связи.
 |
 |
Назначение - схема 3И-НЕ, расширяемая по И. Справочный лист, а также данные из отраслевого каталога на неё.
До введения нормали на обозначения микросхем называлась П2113А, затем 1ЛБ211А.
Производители - минский завод "Мион" (образованный в 1967 году, а в дальнейшем вошедший в состав "Интеграла"), минский же завод "Планар" и "Полярон", г.Львов (Украина).
интересны три момента:
|
 |
(фото с форума Радиокартинки)
(фото с форума Радиокартинки)
В основу элемента положена диодно-транзисторная схема с простым
инвертором. Схема элемента содержит три входных диода Д1,Д2,Д3, которые обеспечивают
электрическую развязку входных цепей и, вместе с сопротивлениями R1, R2, образуют
логическую схему И. Транзистор T1 и диод Д5 образуют схему смещения, предназначенную
для увеличения порога запирания схемы, а, следовательно, для увеличения её
помехоустойчивости. Сопротивления R3, R4 и транзистор Т2
образуют схему инвертора.
Последовательное соединение сопротивлений R1 и R2 позволяет обеспечить
требуемый режим работы транзистора T1. Отношение величин этих сопротивлений
определяется из условия минимума средней задержки сигнала в схеме.
Сопротивление R4 задает ток черев смещающие
элементы Т1, Д5, чем
обеспечивает требуемый порог запирании схемы.
Вследствие использования в схеме двух транзисторов, обеспечивается
довольно высокий коэффициент разветвления по выходу (коэффициент усиления по
мощности) при небольшом напряжении питания. Кроме того, за счет запаса
по коэффициенту усиления транзистора Т2, сопротивление R4 выбирается небольшой
величины, что обеспечивает небольшое время рассасывания избыточных носителей,
накопленных в транзисторе в режиме насыщения, т.е. большее быстродействие схемы.
Для увеличения рассасывающего тока и уменьшения времени
рассасывания в схеме служит
диод Д4, включенный параллельно схеме смещения (Т1,Д5). Во всех режимах работы ток,
протекающий через ускоряющий диод Д4 (через его барьерную емкость), при переключении
схемы уменьшает время рассасывания, а в некоторых случаях и задержку включения.
Микросхема 1ЛБ211 обладает двумя существенными недостатками. Во-первых, в закрытом состоянии (транзистор Т2 заперт) они имеет довольно большое выходное сопротивление, определяемое величиной сопротивления R3, что обуславливает их низкую нагрузочную способность. Во-вторых, эти схемы в процессе выключения не могут обеспечить достаточно большого выходного тока и при увеличений емкости нагрузки их быстродействие резко уменьшается.
Вот еще интересная этикетка от этих микросхем (ТУ ЮХ3.080.001, на сгибе протерлось, к сожалению) :
Логотип на ней - старый знак "Полярона".
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Источники:
1. Catalog digital and analog integrated circuits.
- VO Mashpriborintorg, SSSR, Moskva.
2. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под общ. ред. Н. Н. Горюнова. Изд. 3-е, переработ. и доп. М., "Энергия", 1972.
3. Интегральные логические схемы в цифровых системах, ч.1, Интегральные микросхемы.
И.П. Барбаш, А.А. Ларин, Г.Н. Тимонькин. Министерство Обороны, 1973.
4. Справочник по интегральным
микросхемам. Под общ. ред. Б.В.Тарабрина. М., "Энергия", 1977
5. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под общ.
ред. Н. Н. Горюнова. Изд. 4-е, перераб. и доп. М., "Энергия", 1977.
6. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. 9-е изд., перераб. К.: Технiка, 1980.
7. Справочник по интегральным микросхемам/ Б.В. Тарабрин, С.В. Якубовский, Н.А. Барканов и др.;
Под ред. Б.В. Тарабрина. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Энергия, 1981
8. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. 10-е изд., перераб. и доп. - К.: Технiка, 1984.
9. Нефедов А.В. Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Т. 3 - М.: КУбК-а, 1997.
10. Сектор электронных компонентов. Россия-2000 - М.: ДОДЭКА, 2000.
11. Все отечественные микросхемы. - 2-е изд., переработанное и дополненное - М.: Издательский дом "Додэка-XXI", 2004
12. Динамика радиоэлектроники/ Под общ. ред. Ю.И. Борисова - М.: Техносфера, 2007.
