П412, П413

Маломощные германиевые p-n-p транзисторы очень редкого подвида - микросплавные.

Разработчиком их был московский НИИ "Пульсар", а в серийном выпуске поучаствовал также и Новгородский завод полупроводниковых триодов (ныне ОАО "Планета").

Электрические параметры

Граничная частота усиления по току в схеме ОБ - 30 МГц
Максимальное напряжение коллектор-база - 4,5 В
Максимальный ток коллектора - 5 мА
Максимальная рассеиваемая мощность - 10 мВт
Коэффициент усиления h21Э - 20...50

Справочный лист и данные из отраслевого каталога на них. Разница между П412 и П413 - лишь в коэффициенте усиления по току, в схеме ОБ у П412 он не менее 0,93, у П413 не менее 0,95. Остальные параметры совпадают.

По физическим принципам работы микросплавные транзисторы с однородной базой близки к ВЧ сплавным.

В основе технологии их изготовления находится электрохимическое струйное травление соосных лунок и последующее электрохимическое струйное осаждение в эти лунки индия или кадмия.
По своей конструкции они близки к поверхностно-барьерным транзисторам. Отличие состоит в том, что у микросплавных металлические осадки проникают в германий на несколько сотых микрон, а температуpa плавления лишь на 20—30° превышает температуру плавления металла осадка. При затвердевании расплава образуются тонкие рекристаллизованные слои.
Эффективность инжекции созданных таким образом переходов значительно выше, чем поверхностно-барьерных, что обусловливает существенно более высокий коэффициент усиления по току.

Эта технология в начальный период развития транзисторов считалась довольно перспективной, полагали что она позволила бы создавать транзисторы с повышенной граничной частотой, до единиц ГГц.

В США изготовлялись микросплавные транзисторы с диффузионной базой (2N501, 2N502), односторонняя диффузия примеси давала значительный перепад концентрации по глубине. Параметры у них были получше советских - предельная частота 90-220 МГц, предельное напряжение коллектора 15-30 вольт.

Но они были очень дорогие, из-за малого выхода годных, т.к. к прочим особенностям техпроцесса надо было, чтобы база была именно там, где соответствующий перепад концентраций примесей. В этом случае они по параметрам близки к диффузионно-сплавным - большая концентрация примеси у эмиттера дает низкоомную базу, малая ее концентрация у коллектора - высокое допустимое напряжение и малую емкость коллектора. Перепад концентрации примеси - встроенное электрическое поле, ускоряющее пролет дырок через базу.

В США были ведомства, готовые платить большие деньги за высокочастотные транзисторы - в частности, космическое. А ничего лучшего, чем такие микросплавные транзисторы, не было до создания в 1957 году (одновременно и независимо в СССР и США) диффузионно-сплавных; у нас это широко известные П401-П403.

Но после этого сложность производства микросплавных транзисторов с одной стороны, и стремительное развитие сплавных с другой, довольно быстро дали понять, что эта ветвь - тупиковая.


(фото с форума "Портативное ретрорадио")

Они выпускались и в другом, тоже весьма редком корпусе, несколько похожим на П12, но четырехвыводном:


(фото с форума "Портативное ретрорадио")


(фото с форума "Портативное ретрорадио")


(фото с форума "Портативное ретрорадио")

(фото с форума "Портативное ретрорадио")

Источники:

1. Автоматизация производства и промышленная электроника. В 4 тт. Гл. ред. А.И. Берг и В.А. Трапезников т. 4. М., "Советская энциклопедия", 1966 (Энциклопедия современной техники. Энциклопедии. Словари. Справочники). т. 4. Телекомандование - Ячейки стандартные.
2. Атанас Шишков. Транзистори и диоди. Кратък справочник. Второ допълнено издание. София, Държавно издателство "Техника". 1981.

домой