201ая серия

Гибридные микросхемы малой степени интеграции серии 201 выполнены на толстых пленках и образуют систему логических элементов с непосредственными связями (РТЛ, схемы ИЛИ, ИЛИ — НЕ и др.).

Микросхемы выполнены в квадратном металлополимерном корпусе размером 11,6х11,6х4 мм ("Тропа"), вес микросхем не более 1,5 г. Плотность упаковки — около 25 эл/см3.

Подробные данные на эту серию из отраслевого справочника.

Основные электрические параметры при 20°С

напряжение питания +4 В±10%
мощность, потребляемая от источников питания - 5-30 мВт
ток коллектора закрытого инвертора менее 20 мкА
напряжение на выходе открытого инвертора в режиме насыщения менее 0,3 В
время задержки не более 100 нс
нагрузочная способность от 4 до 8
помехоустойчивость около 0,3 В.

   Исторически - это первые интегральные микросхемы, разработанные в Советском Союзе, в Зеленограде в 1962-65 годах (НИИ точной технологии, ныне "Ангстрем", тема "Тропа-1", главный конструктор А.К. Катман). В разработке принимали участие специалисты НИЭМ (ныне ФГУП НИИ Аргон).

   В качестве активных элементов использовались бескорпусные транзисторы "Плоскость" (2Т317А - 2Т317В), разработка которых была проведена в НИИ "Пульсар", а серийное производство освоено в НИИ молекулярной электроники (ныне "Микрон").

   Как и большинство отечественных микросхем, самые первые из них также были копией зарубежных.

   "Первый директор НИИТТ В.С. Сергеев вспоминает*: “Никаких технических материалов и литературы по этому направлению не было, мы имели только фотографию микросхем, выпускаемых фирмой IBM. Особенно в большом секрете за рубежом держалась технология изготовления резистивных, проводниковых и изоляционных паст. Всю работу мы начали с нуля: разработку конструкции, материалов, технологии и оборудования... Уже с первых дней существования предприятия, помимо работ непосредственно по технологии ГИС, велись значительные работы по созданию и применению стекла, керамики, полимеров, клеев, изоляционных материалов, гальванических процессов, сварки, пайки, получению прецизионного инструмента (штампов, пресс-форм) химической фрезеровки, многослойных полимерных и керамических плат и многим другим процессам, необходимым в перспективах развития техники..."

   Серийное производство ГИС "Тропа" началось в 1967 году в Павловском Посаде ("Экситон").

   В дальнейшем к выпуску этой серии подключился завод "Биллур" (г.Гянджа, Азербайджан).

   Последние известные мне экземпляры этой серии датировались 1991 годом.


(1МД4 - ранние выпуски микросхем 2ЛБ014, источник фото)
201ЛБ1 - логический элемент НЕ (справочный лист на нее)

К2ЛБ012 - логический элемент НЕ (справочный лист на нее)

К201ЛБ4 - два логических элемента НЕ и два 2ИЛИ-НЕ (справочный лист)

201ЛБ5 - пять логических элементов НЕ (справочный лист)

К201ЛБ6 (2ЛБ016) и 201ЛБ7 (2ЛБ017, 1МД6) - пять логических элементов НЕ (справочный лист)

201ЛС1 - два логических элемента 2ИЛИ с возможностью расширения (справочный лист)

К2НТ011 (К201НТ1) и К201НТ2 - cборки из четырех n-p-n транзисторов, отличаются коэффициентом усиления по току (справочный лист)


(фото с форума Портативное ретрорадио)

Эти первые микросхемы были применены в бортовой вычислительной машине "Аргон-1", на которой в то время строились автоматизированные системы управления войсками "Маневр", системы управления мобильными ракетными комплексами "Точка", комплексы топопривязки "Кратер" и другие мобильные системы.

Полная версия

Как любопытное упоминание этой серии в нынешней жизни - Единый тарифно-квалификационный справочник работ и профессий рабочих (по состоянию на ноябрь 2007 года), раздел "Полупроводниковое производство", "Ретушер прецизионной фотолитографии. 4-й разряд" :
"...Примеры работ:
1. Негативы и диапозитивы микросхем типа "Тропа" - устранение всех дефектов"


(фото Александра aka shyrik)


(фото с форума Отечественная радиотехника XX века)


(фото с форума Радиокартинки)


(фото с форума Радиокартинки)


(фото с форума Радиокартинки)

 


(фото с форума Радиокартинки)

За двадцать лет технология не изменилась (201ЛБ1 1986 года) :

Источники:

1. Краткий справочник конструктора РЭА. Под ред. Р. Г. Варламова. - М., "Советское радио", 1972
2. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под общ. ред. Н. Н. Горюнова. Изд. 3-е, переработ. и доп. М., "Энергия", 1972.
3. Пляц О.М. Справочник по электровакуумным, полупроводниковым приборам и интегральным схемам. - Минск: Вышэйшая школа, 1976
4. Микросхемы интегральные гибридные цифровые. Группа 6232. Справочник. Том II. РМ 11 070.014.2. Всесоюзный научно-исследовательский институт "Электронстандарт". 1976.
5. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под общ. ред. Н. Н. Горюнова. Изд. 4-е, перераб. и доп. М., "Энергия", 1977.
6. Справочник по интегральным микросхемам. Под общ. ред. Б.В.Тарабрина. М., "Энергия", 1977.
7. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. 9-е изд., перераб. К.: Технiка, 1980.
8. Справочник по интегральным микросхемам/ Б.В. Тарабрин, С.В. Якубовский, Н.А. Барканов и др.; Под ред. Б.В. Тарабрина. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Энергия, 1981.
9. Нефедов А.В. Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Т. 3 - М.: КУбК-а, 1997.
10. Шокин А.А. Министр невероятной промышленности СССР. Страницы биографии. - Москва: Техносфера, 2007.
11. "Зеленоградский Центр микроэлектроники: Создание, расцвет, закат…" - "Электроника: Наука, Технология, Бизнес", 2007г., №1.
12. Динамика радиоэлектроники/ Под общ. ред. Ю.И. Борисова - М.: Техносфера, 2007.

домой