Очень распространенный полевой транзистор. Наряду с
КП101
и КП102 - один из самых первых отечественных полевиков, но, в отличии
от собратьев, выпускался до самого конца. Хотя в 1991 году варианты в
металлическом корпусе были помещены в раздел неперспективных,
с рекомендацией замены на своих пластиковых собратьев.
Разработчиком и производителем их был новосибирский "Восток"; кроме того выпуск был организован и на украинском ПО "Октябрь" (сейчас НИИ "Гелий"), г.Винница. Первые выпуски маркировались вручную: |  |
(экспонат предоставлен фирмой ЗАО
"Электронные системы контроля", г. Пермь)
вот еще один из ранних экземпляров;
здесь уже только маркировка буквы сделана вручную: |
а вот в 1972 году маркировали уже обычным образом: судя по паспорту, длинные выводы заменили на привычные нам короткие примерно в 1972 году. |
 |
 |
(экспонат предоставлен фирмой ЗАО "Электронные системы контроля", г. Пермь). |
Интересно, что в 70-х годах их выпускали и в пластмассовом корпусе как у КТ315.
 (фото с форума "Портативное ретрорадио")
|  |
Несмотря на грозную надпись на картинке, среди таких был (судя по некоторым каталогам) и военный вариант, 2П103А, выпускавшийся по дополнению № 1 к ТФ3.365.000ТУ.
А вот еще не вполне обычный вариант, КП103К1Р.
| Единица в обозначении - пластмассовый корпус; Р - транзисторы подобраны по разбросу параметров в пары.
Первая группа точности, судя по этикетке и листу на 2П103АР из отраслевого справочника, означает, что разброс параметров не превышает 10%. |
 |
"Парность" транзисторов маркируется точкой на верхней крышке,
причём цвет точки обозначает группу по разбросу параметров:
 |
 |
Канал в теле транзистора образуется в две стадии. Сначала получается диффузионный слой p-типа, обозначенный на рисунке как "карман". Карман отделён от остального кристалла p-n-переходом. Собственно "канал" формируется после дополнительной диффузии фосфора в 5 параллельных верхних затворах n-типа, образующих также p-n-переходы только в слое кармана. Верхние затворы простираются за область кармана и обеспечивают омические контакты с остальной частью кристалла. Таким образом, весь карман пятью верхними затворами разбивается на б областей, предназначенных для образования омических контактов истока и стока. Каждые две соседние области соединяются рабочим каналом, ограниченным с одной стороны p-n-переходом верхнего затвора, с другой стороны - p-n-переходом кармана.
Транзистор КП103 имеет многоканальную структуру и состоит из 5 параллельно соединенных ячеек. Соединение выполнено с помощью алюминиевой металлизации, образующей омические контакты с 3 областями истока и 3 областями стока. Остальная часть кристалла изолирована от алюминиевых дорожек слоем двуокиси кремния.
(фото с форума Радиокартинки)
Внутреннее устройство транзистора в корпусе показано на рисунке. Кристалл, имеющий размеры 1x1 мм, припаян к металлическому основанию корпуса. С помощью тонких золотых проволочек сток и исток соединены с соответствующими изолированными от корпуса выводами.
Для приборов в пластмассовом оформлении (см. выше) годные кристаллы напаиваются на золочёную коваровую ленту и после разводки выводов истока и стока подвергаются заливке компаундом ЭКМ для образования пластмассового корпуса.
Для получения бескорпусных приборов кристаллы подвергаются
дополнительной защите влагостойким боросиликатным или свинцовосиликатным стеклом,
к алюминиевым контактам присоединяются золотые проволоки и кристаллы упаковываются
в промежуточную тару (см. рис.).
Тара обеспечивает возможность промежуточных измерений прибора перед постановкой
в интегральную схему. Эта тара, изготовленная из стекла и металла, несколько
громоздка, но обеспечивает в технологическом цикле токовую тренировку
при повышенной температуре. Её конструкция не является окончательным вариантом.
 (фото с форума Радиокартинки) |
 (фото с форума Радиокартинки) |
 |
 |
Небольшая добавка - паспорта 1986 года на 2П103 и 1989 года на КП103; отличаются они лишь содержанием золота.
Источники:
1. Радиокомпоненты малой мощности. Кремниевые полевые транзисторы 2П102 и КП102 (ТН-1),
2П103 и КП103 (ТН-5). - Издательство "Наука" Сибирское отделение. Новосибирск, 1970.
2. Б.А. Бородин, Г.Г. Бендер. Современные промышленные полевые транзисторы, выпускаемые в СССР. - В кн.: Полупроводниковая электроника в технике связи. - М.: Связь, 1977.
3. Транзисторы полевые./ В.М. Петухов, В.И. Таптыгин, А.К. Хрулев.- М.: Сов. радио,
1978. (Элементы радиоэлектронной аппаратуры, вып. 37)
4. Полупроводниковые приборы. Справочник.
Том X. Транзисторы. Издание второе. - Министерство электронной промышленности
СССР. Научно-исследовательский институт.
5. Перечень неперспективных ПП и рекомендуемых замен. - Центральное конструкторское бюро "Дейтон", 1991.
